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产品中心

膜厚测量仪

  • 型   号:ME-210-T
  • 价   格:

膜厚测量仪为一种光学系膜厚测量装置,这个装置的特点是可以高精度测量1nm一下的极薄膜,也适合测量玻璃等透明基板上的薄膜。ME-210-T 活用了本公司特有的偏光Senor 技术,将不能变为可能,以往的技术是无法测量0.5mm厚的玻璃基板,在这项技术下,可进行极薄膜的高精度测量,举例来说显示器用的ITO膜或配向膜的评估,也可运用ME-210-T轻松达成。

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高速Mapping椭偏仪(适用透明基板)ME-210-T

 膜厚测量仪

适用透明基板的高速Mapping椭偏仪 ···可测量透明基板上的光阻膜及配向膜分布

 

椭偏仪为一种光学系膜厚测量装置,膜厚测量仪这个装置的特点是可以高精度测量1nm一下的极薄膜,也适合测量玻璃等透明基板上的薄膜。

ME-210-T  活用了本公司特有的偏光Senor 技术,将不能变为可能,以往的技术是无法测量0.5mm厚的玻璃基板,在这项技术下,可进行极薄膜的高精度测量,举例来说显示器用的ITO膜或配向膜的评估,也可运用ME-210-T  轻松达成。

ME-210-T的高精度膜厚分布资料,定会对先进的薄膜产品的生产有极大的用途。

 

ME-210-T的特点

1,   高效的测量速度(每分约1000点:)可短时间内取得高密度的面分布数据。

2,   微小领域量测(20un左右)可简单锁定&测量任一微小区域。

 

3,   可测量透明基板

适用于解析玻璃基板上的极薄膜

 

测量实例

涂布膜边缘扩大测量

  可阶段性扩大微小领域,然后获得详细的膜厚分布数据

 

GaAs Wafer 上酸化膜厚的分布测量

 缩小膜厚显示范围,膜厚差距不大的样品,也可以简单评估、比较其分布状况

 

设备参数

           项目

规格

光源

半导体激光(636nm、class2)

zui小测量领域

广域模式:0.5mm×0.5mm

高精细模式:5.5um×5.5um

入射角

70『deg』

测量再现性

膜厚:0.1nm 折射率:0.001     ※1

zui大测量速度

1000point/min(广域模式)

5000point/min(高精密模式)

载物台

行程:XY200mm以上

zui大移动速度:约40mm/scc

尺寸/重量

约650×650×1740mm(W×D×H)/约200kg

电源

AC100V

备注

※1:此数值是以广域模式测量SiO2膜(膜厚约100mm)其中一点,重复测量100次后的标准偏差值

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